Applikasjoner

Internasjonal situasjon: Teknikken vi bruker har til nå slått gjennom i tre områder i stor skala:

• Høy k-materiale for mikroelektronikk: Teknikken blir i dag benyttet til å lage isolerende lag i transistorstrukturer samt i minnebrikker. Implementering av teknikken har vært en utløsende faktor for 65, og nå 45 nm teknologien. Det tradisjonelle isolerende SiOx laget i transistorer er nå byttet ut med Al2O3 eller HfO2 fremstilt med denne teknikken.
• Produksjon av uorganiske elektroluminescerende skjermer: ALD teknikken ble tatt i bruk for produksjon av fast stoff elektroluminscerende skjermer allerede i midten av 1980 tallet. Både det aktive og de isolerende lagene i skjermen lages med ALD teknikken under en nedpumping. ALD teknikken gjorde det mulig å lage slike robuste skjermer uten bruk av renrom da filmene dekker urenheter jevnt og sikrer en hullfri film.
• Korrosjonsbeskyttelse: ALD teknikken er overlegen andre teknikker til å dekke komplekse overflater på en fullstendig måte. Den er derfor utmerket til korrosjonsbeskyttelse av diverse komponenter ved belegging med Al2O3, TiN eller andre spesielle forbindelser. Teknikken brukes i dag også for overflatebeskyttelse av sølvsmykker gjennom nSilver prosessen.

Sølvvarer som ikke behøver å pusses

Det utvikles i dag prosesser for flere formål som:

• Diffusjonsbarriære: Ved hjelp av tynne multilagsstrukturer kan ALD teknikken brukes til å lage diffusjonsbarriærer for gass og væsker med overlegne egenskaper. Det forskes på å utvikle plast med diffusjonsegenskaper lik glass.
• Brenselsceller: ALD teknikken er utmerket til deponering av hullfrie filmer og er derfor egnet til produksjon av fast elektrolytt innen brenselsceller og batterier. Ved å lage tynne filmer kan fluksen økes i brenselscellene.
• Transparente ledende materialer: ALD teknikken kan benyttes til deponering av ledende transparente materialer som dopet In2O3 og ZnO. Slike er aktuelle for skjermteknologi og solceller, samt sensorer.
• Nanopartikler: ALD teknikken kan benyttes til modifisering av nanopartikler for å øke eller senke reaktivitet, eller gi slike partikler nye eller modifiserte overflater.
• Optikk: ALD teknikken er svært egnet til å lage jevntykke lag over større overflater. Multilagsstrukturer av forskjellige ALD materialer er derfor egnet til å lage optiske filtre på komplekse substrater.
• Selvrensende overflater: Tynne belegg med TiO2 vil gi overflaten en selvrensende effekt. Foreløpig er det behov for noe UV lys, men det forskes på å oppnå tilsvarende effekter i normal belysning.
• Batterier: Ved å benytte ALD teknikken kan en muliggjøre fast-stoff tynnfilmbatterier. Dette er en type batterier som viser svært lite tap med bruk.
• Overflatefukting: Det er overflaten som bestemmer fuktegenskapene til forskjellige materialer. Ved å bruke ALD-teknikken kan en styre disse egenskapene uten å endre struktur eller utseende på overflater.

En selvrensende golfball ved hjelp av ALD

ALD teknikken er egnet til å lage de fleste uorganiske materialer (oksider, nitrider, sulfider), noen typer organiske materialer, samt en rekke organisk- uorganiske hybrid materialer. ALD teknikken kan også benyttes til deponering av W, samt noen edlere metaller Pt, Ir, Rh, Cu.

Dette er kun en begrenset oversikt og vi ber om at det tas kontakt for mer utfyllende informasjon om muligheter.

En absorberende duk er blitt superhydrofob ved hjelp av ALD