|
TeknologiALD (atomær-lag-deponering, atomic layer deposition) er en gassfaseteknikk som Baldurs forskere har benyttet siden 1995. Den baserer seg på selvhindrende gass-til-overflate-reaksjoner. Teknikken minner mye om MOCVD (metal organic chemical vapor deposition), dog med den viktige forskjell at prosesstemperaturen er lavere og at ulike reaktanter aldri møtes i gassfasen slik at uønskede gassfasereaksjoner elimineres. Teknikken utnytter selvbegrensende reaksjoner som sikrer en jevn belegning over komplekse overflategeometrier. Metoden har flere sterke fortrinn: Metoden benyttes tradisjonelt til deponering av uorganiske materialer som oksider, nitrider og sulfider. Den kan benyttes til deponering av enkelte metaller (W, Pt, Rh, Ir…) og noen rene organiske materialer. Nylig har metoden vist seg svært egnet til deponering av organisk- uorganiske hybrid materialer. Metoden er en batch metode som betyr at alle biter som plasseres i reaksjonskammeret blir belagt jevnt. Dette bidrar til god økonomi da mange biter kan bli belagt samtidig, hvilket også gir hurtig gjennomstrømning av biter. Ta gjerne kontakt med Baldur for en dypere innføring i ALD teknikkens muligheter. |
||||||||||||||||||||||
© 2008 Baldur Coatings AS | Privacy | Contact | Home | Designed by virtualena.com |